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低温制备纳米碳化硅的方法

758   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 00:00:43
本发明提出了一种低温制备纳米碳化硅的方法,该方法采用“双限域”过程,首先通过热解二氧化硅/聚合物的复合物制备二氧化硅/碳的复合物,然后将得到的复合物与金属镁或钙机械混合,在密闭的反应器内热处理,最后,用盐酸和氢氟酸依次清洗可得到纳米结构SiC。在这一合成路线中二氧化硅/碳复合物中的碳骨架提供第一限域效应,限制纳米SiC的长大,而密闭反应器提供第二限域效应,降低碳热还原的温度。该方法制备的纳米碳化硅具有大的比表面积和丰富的孔隙,可以作为载体负载金属银催化剂,以及用于锂离子电池负极材料。本发明提供的纳米碳化硅制备方法,工艺过程简单、便于实现规模化生产。
声明:
“低温制备纳米碳化硅的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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