本发明涉及一种钴插层硫化钼二次
电池材料及其制备方法和应用,采用化学溶液法制备三维钴插层的硫化钼多级结构。首先将钴盐、钼盐、硫源分散于溶剂中,制备反应液,然后将配制好的反应液进行溶剂热处理,即可得到由类
石墨烯的超薄纳米片自组装的三维钴均匀插层的硫化钼多级结构。多级结构大小在100nm左右,还公开了该多级结构的制备方法。通过本发明制备的
纳米材料性能稳定,作为锂离子电池
负极材料和超级电容器电极材料,循环寿命长。
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“钴插层硫化钼二次电池材料及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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