本发明涉及集成光波导三维电场传感器,属电场测量领域。本发明包括集成光波导一维电场传感器:在一片铌酸锂晶片表面使用质子交换方法制作一个两端为Y形光波导,中间为平行光波导构成的M‑Z光波导干涉仪,在中间某一直波导臂两侧制作两片与直波导平行的金属电极,并制作与金属电极垂直相连接的金属偶极子天线;集成光波导二维电场传感器:通过在一片铌酸锂晶片表面采用质子交换方法形成一个Y形光波导,其中Y形光波导的两个波导臂为两个M‑Z光波导结构;在这两个M‑Z光波导干涉仪的直波导臂两侧制作金属电极和天线,并且使制作在两个M‑Z光波导干涉仪上的天线互相垂直。本发明体积小、空间分辨率高、对被测电场的干扰小。
声明:
“集成光波导三维电场传感器” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)