本发明涉及一种在金属钴表面生长氢氧化钴片的方法,该方法以金属钴为基体,在室温下将基体浸入pH值呈碱性的溶液中;然后将一定量的氧化剂分散到该溶液中,使金属钴基体与氧化剂在溶液条件下进行反应,数分钟至数十分钟后,经洗涤剂洗涤、干燥,即可在金属钴表面得到高纯度六边形氢氧化钴片,直径0.2-1.5μm,厚度10-200nm。本发明所得氢氧化钴片纯度高,粒度可控,与金属基体结合牢固,可直接作为锂离子电池氧化钴负极的原料,不需添加任何粘结剂和导电剂,工艺条件简单易控,生产周期短,适合工业化大生产。
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