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在金属钴表面生长氢氧化钴片的方法

669   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 23:38:50
本发明涉及一种在金属钴表面生长氢氧化钴片的方法,该方法以金属钴为基体,在室温下将基体浸入pH值呈碱性的溶液中;然后将一定量的氧化剂分散到该溶液中,使金属钴基体与氧化剂在溶液条件下进行反应,数分钟至数十分钟后,经洗涤剂洗涤、干燥,即可在金属钴表面得到高纯度六边形氢氧化钴片,直径0.2-1.5μm,厚度10-200nm。本发明所得氢氧化钴片纯度高,粒度可控,与金属基体结合牢固,可直接作为锂离子电池氧化钴负极的原料,不需添加任何粘结剂和导电剂,工艺条件简单易控,生产周期短,适合工业化大生产。
声明:
“在金属钴表面生长氢氧化钴片的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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