本发明公开了一种高电阻率单晶氧化锌及其制备方法和应用。该方法是将单晶ZnO晶片置于金属锂
电化学装置中恒流放电处理后,放于800~1000℃、10~30atm的高压氧气气氛中退火处理20~28小时,得到所述高电阻率单晶氧化锌。该方法采用电化学方法结合退火处理,只需要简单的两个步骤即可获得超高电阻率的单晶ZnO晶片,得到的ZnO晶片电阻率高达1011?ohm?cm。而且,本发明的制备方法新颖、操作简单,成本低,可重复性高,具有很好的推广应用前景。
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