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非极性GAN薄膜的生长方法

947   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 23:38:19
本发明涉及一种非极性氮化镓(GaN)薄膜的生长方法,其利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统在铝酸锂(LiAlO2)衬底上合成生长GaN薄膜,其中,在生长GaN薄膜之前,首先在铝酸锂衬底背面背镀二氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4),一方面起应力平衡的作用,另一方面可以阻止衬底的分解,如Li的挥发等。
声明:
“非极性GAN薄膜的生长方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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