本发明涉及一种硅
光伏电池及其制备方法,所述硅
光伏电池的制备方法包括:n型硅片表面硅纳米线阵列的制备;将含有绝缘纳米颗粒和Spiro‑OMeTAD的氯苯溶液通过旋涂法旋涂于n型硅片上,并进行退火处理;接着将PEDOT:PSS溶液旋涂于n型硅片上,并进行退火处理,正面电极的制备;n型硅片背面8‑羟基喹啉‑锂/氟化锂复合界面层的制备;背面铝电极的制备。通过旋涂含有绝缘纳米颗粒和Spiro‑OMeTAD的氯苯溶液,在形成Spiro‑OMeTAD层的同时,绝缘纳米颗粒将沉积于n型硅片表面,有效减少n型硅片表面的缺陷态,降低硅光伏电池的表面复合速率,进而提高
太阳能电池的光电转换效率。 1
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