本发明涉及一种掺杂Cu的SnOx负极,所述负极以多孔泡沫镍为衬底材料,在多孔泡沫镍表面镀掺杂Cu的Sn薄膜,Cu的质量为Sn的质量的2-5%,用磁控溅射法在多孔泡沫镍上先溅射一层铝,再溅射一层铌;然后在溅射区域放置Cu片,靶材为圆形金属Sn靶。本发明掺杂Cu抑制了SnOx薄膜团簇的生长,使得表面晶粒尺寸变小,材料与电解液接触面积增大,有利于锂离子快速嵌入;此外,表面颗粒尺寸变小,每个颗粒在充放电过程中的绝对体积变化较小,减缓了SnOx嵌入锂离子时体积膨胀,能显著提高SnOx负极循环稳定性。
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