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掺杂Cu的SnOx负极及制备方法

804   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 23:35:24
本发明涉及一种掺杂Cu的SnOx负极,所述负极以多孔泡沫镍为衬底材料,在多孔泡沫镍表面镀掺杂Cu的Sn薄膜,Cu的质量为Sn的质量的2-5%,用磁控溅射法在多孔泡沫镍上先溅射一层铝,再溅射一层铌;然后在溅射区域放置Cu片,靶材为圆形金属Sn靶。本发明掺杂Cu抑制了SnOx薄膜团簇的生长,使得表面晶粒尺寸变小,材料与电解液接触面积增大,有利于锂离子快速嵌入;此外,表面颗粒尺寸变小,每个颗粒在充放电过程中的绝对体积变化较小,减缓了SnOx嵌入锂离子时体积膨胀,能显著提高SnOx负极循环稳定性。
声明:
“掺杂Cu的SnOx负极及制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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