本发明公开了一种NaV
2O
5晶体薄膜的制备方法,该方法主要包括以下步骤:a),将载玻片置于ALD反应腔;b),利用ALD技术在载玻片表面沉积氧化钒薄膜,具体步骤为:向ALD腔内注入第一种前驱体;待反应充分后用惰性载气吹扫;随后注入第二种反应前驱体;待反应充分后用惰性载气吹扫;c),循环执行上述操作,控制循环周期数获得一定厚度范围的氧化钒薄膜;d),将样品置退火炉中,在高纯氧气下300℃结晶处理;e),将结晶处理后的样品置于退火炉中,在还原性气氛下500℃退火得到NaV
2O
5晶体薄膜。本发明所采用的制备方法具有自动化程度高、薄膜厚度控制精确、重复性好。本发明所制备的NaV
2O
5晶体薄膜可用于
锂电池电极材料及纳米光学器件研究。
声明:
“NaV2O5晶体薄膜的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)