合肥金星智控科技股份有限公司
宣传

位置:中冶有色 >

有色技术频道 >

> 加工技术

> 制备沿C轴取向生长的五氧化二钒薄膜的方法

制备沿C轴取向生长的五氧化二钒薄膜的方法

778   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 23:29:37
本发明提供了一种设备及工艺简单的制备C轴取向生长的五氧化二钒薄膜的方法。具体步骤包括:(1)以二乙酰丙酮氧钒为原料,配制成溶胶;(2)以此溶胶为涂覆液,在清洗干净的衬底材料上,采用提拉涂膜法或者旋涂法成膜;(3)在含氧气氛中进行热处理。本发明具有工艺简单,可大面积制备,制备成本低廉等优点。所制备的五氧化二钒薄膜沿C轴方向生长,取向单一,有利于离子的嵌入与脱嵌,可改善锂离子电池阴极及电致变色器件的性能。
声明:
“制备沿C轴取向生长的五氧化二钒薄膜的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
分享 0
         
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
标签:
加工技术
全国热门有色金属技术推荐
展开更多 +

 

中冶有色技术平台微信公众号
了解更多信息请您扫码关注官方微信
中冶有色技术平台微信公众号中冶有色技术平台

最新更新技术

报名参会
更多+

报告下载

第二届关键基础材料模拟、制备与评价技术交流会
推广

热门技术
更多+

衡水宏运压滤机有限公司
宣传
环磨科技控股(集团)有限公司
宣传

发布

在线客服

公众号

电话

顶部
咨询电话:
010-88793500-807
专利人/作者信息登记