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制备沿C轴取向生长的五氧化二钒薄膜的方法

840   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 23:29:37
本发明提供了一种设备及工艺简单的制备C轴取向生长的五氧化二钒薄膜的方法。具体步骤包括:(1)以二乙酰丙酮氧钒为原料,配制成溶胶;(2)以此溶胶为涂覆液,在清洗干净的衬底材料上,采用提拉涂膜法或者旋涂法成膜;(3)在含氧气氛中进行热处理。本发明具有工艺简单,可大面积制备,制备成本低廉等优点。所制备的五氧化二钒薄膜沿C轴方向生长,取向单一,有利于离子的嵌入与脱嵌,可改善锂离子电池阴极及电致变色器件的性能。
声明:
“制备沿C轴取向生长的五氧化二钒薄膜的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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