本申请涉及一种负极极片、
电化学装置及电子装置。本申请的负极极片包括集流体、第一活性物质层以及位于所述集流体和第一活性物质层之间的第二活性物质层,其中,所述第一活性物质层包括第一硅基材料颗粒,所述第二活性物质层包括第二硅基材料颗粒,所述第一硅基材料颗粒中锂元素的质量百分含量为A%,所述第二硅基材料颗粒中锂元素的质量百分含量为B%,其中A>B。本申请改善了负极极片中硅材料对集流体的膨胀,缓解极片膨胀应力,避免由于集流体变形导致的界面问题,从而改善循环后极片脱膜、电极组件变形,改善循环膨胀,达到提升能量密度及循环性能、减小循环膨胀的效果。
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“负极极片及包含该负极极片的电化学装置、电子装置” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)