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极间厚缓冲层调制器芯片结构

844   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 23:26:55
本发明涉及极间厚缓冲层调制器芯片结构,属于铌酸锂电光调制技术领域。为了实现更低的调制器件功耗,需要得到较低调制半波电压,本发明在调制器芯片行波电极间的缓冲层处进行了加厚处理,能有效增大电光重叠积分,降低器件半波电压。为铌酸锂强度调制器的功耗降低提供了有效方法。
声明:
“极间厚缓冲层调制器芯片结构” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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