本申请涉及异质集成器件制备技术领域,提供了一种纵向泄漏声表面波谐振器及滤波器,纵向泄漏声表面波谐振器包括支撑衬底、设置在支撑衬底上的压电薄膜以及设置在压电薄膜上的电极阵列。其中,支撑衬底可以为旋转切型的碳化硅衬底,压电薄膜的材料可以为铌酸锂或者钽酸锂。通过采用旋转切型的碳化硅支撑衬底与压电薄膜相结合的谐振器,可以在不改变衬底材料声速的前提下,降低反谐振频率附近的损耗,使得谐振器具有更为宽频的极低损耗区,进而可以实现更优异的谐振器和滤波器性能。
声明:
“纵向泄漏声表面波谐振器及滤波器” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)