一种低共熔离子液体中电沉积制备MoS
2薄膜材料的方法,属于二硫化钼薄膜材料的制备技术领域,可解决现有MoS
2纳米材料的合成存在成膜温度高、沉积速率低、参加沉积的反应源和反应后的余气易燃、易爆或有毒、需防止环境污染等问题,本发明以四硫代钼酸铵为钼源和硫源,以低共熔离子液体为电解质,在紫铜、黄铜、不锈钢等基底上进行电沉积,制备方法简单快速、薄膜便于控制,为尤其在固体润滑材料、光电池、
锂电池和其他方面的广泛应用提供了可能。
声明:
“低共熔离子液体中电沉积制备MoS2薄膜材料的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)