本发明涉及SnO2@PPy同轴纳米棒阵列结构及其制备方法,其为生长在泡沫镍上的SnO2纳米棒表面被聚合物吡咯包覆的同轴结构,所述的同轴结构的纳米棒长度为300-600nm,其采用下述方法制得,包括有以下步骤:1)将吡咯单体分散在高氯酸锂乙腈溶液中,混合搅拌30min;2)以已经生长SnO2纳米棒阵列的泡沫镍为工作电极,以Ag/AgCl为参比电极,以铂电极为对电极进行电沉积700s,电流密度1.6mA/cm2,洗涤即得。本发明的有益效果是采用恒流计时法沉积聚吡咯的方法制备SnO2@PPy同轴结构材料。使其成为锂离子电池的潜在应用材料,符合绿色化学的要求,利于市场化推广。
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