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包含膦氧化物基质和金属盐的半导体材料

985   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 23:22:36
本发明涉及一种半导体材料,其包含根据式(I)的化合物:其中R1、R2和R3独立地选自C1?C30?烷基、C3?C30环烷基、C2?C30?杂烷基、C6?C30?芳基、C2?C30?杂芳基、C1?C30?烷氧基、C3?C30?环烷氧基、C6?C30?芳氧基和通式E?A?所示的结构单元,其中A是亚苯基间隔基单元,E是电子传输单元,其选自C10?C60芳基和包含至多6个独立地选自O、S、P、Si和B的杂原子的C6?C60杂芳基,并包含至少10个离域电子的共轭体系,选自R1、R2和R3的至少一个基团由所述通式E?A?所示,以及涉及至少一种式(II)的锂络合物其中A1是C6?C30亚芳基或在芳香环中包含至少一个选自O、S和N的原子的C2?C30亚杂芳基,并且每个A2?A3独立地选自C6?C30芳基和在芳香环中包含至少一个选自O、S和N的原子的C2?C30杂芳基。还公开了一种电子器件,其包含阴极、阳极和在所述阴极与阳极之间的根据权利要求1?9任一项的半导体材料。此外,公开了化合物和电子器件。
声明:
“包含膦氧化物基质和金属盐的半导体材料” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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