本发明涉及一种
半导体材料，其包含根据式(I)的化合物：其中R1、R2和R3独立地选自C1?C30?烷基、C3?C30环烷基、C2?C30?杂烷基、C6?C30?芳基、C2?C30?杂芳基、C1?C30?烷氧基、C3?C30?环烷氧基、C6?C30?芳氧基和通式E?A?所示的结构单元，其中A是亚苯基间隔基单元，E是电子传输单元，其选自C10?C60芳基和包含至多6个独立地选自O、S、P、Si和B的杂原子的C6?C60杂芳基，并包含至少10个离域电子的共轭体系，选自R1、R2和R3的至少一个基团由所述通式E?A?所示，以及涉及至少一种式(II)的锂络合物其中A1是C6?C30亚芳基或在芳香环中包含至少一个选自O、S和N的原子的C2?C30亚杂芳基，并且每个A2?A3独立地选自C6?C30芳基和在芳香环中包含至少一个选自O、S和N的原子的C2?C30杂芳基。还公开了一种电子器件，其包含阴极、阳极和在所述阴极与阳极之间的根据权利要求1?9任一项的半导体材料。此外，公开了化合物和电子器件。
声明：
“包含膦氧化物基质和金属盐的半导体材料” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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编辑：管理员
来源：中冶有色技术网
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2025年03月25日 ~ 27日 
