本实用新型公开了一种偏振无关的LNOI端面耦合结构,包括衬底、设置于衬底上的缓冲层和设置于缓冲层上的铌酸锂波导,铌酸锂波导由第一输入区、第一锥形区和第一输出区三部分组成,其中第一输入区和第一输出区宽度保持不变,第一锥形区采用反向锥形结构;在缓冲层上沉积外包层波导覆盖铌酸锂波导,外包层波导结构由第二输入区、第二锥形区和第二输出区三部分组成,其中第二输入区和第二输出区宽度保持不变,第二锥形区采用正向锥形结构。本实用新型可实现光纤与LNOI
芯片之间几乎偏振无关的高效耦合。
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