本发明属于锂离子
电池材料技术领域,尤其涉及一种氧化铜纳米线及其制备方法和应用。本发明采用阳极氧化法制得氢氧化铜纳米线,然后退火处理得到氧化铜纳米线,方法简单易行,无需模板辅助纳米线成型生长,氧化铜纳米线直接生长在铜箔基底上,所制备的氧化铜纳米线的长度为8~15μm,直径为50~300nm,纳米线交错生长,分布均匀,完整覆盖铜箔表面,具有稳定均一的形貌尺寸。将所述氧化铜纳米线应用于锂离子电池时,衬底铜箔可作为锂离子电池的
负极材料集流体,与氧化铜纳米线结合良好,无需粘结剂辅助与铜箔集流体结合,简化了电池制备的操作工艺,且所得的氧化铜纳米线作为负极材料的充放电比容量较高、循环性能较为稳定。
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