合肥金星智控科技股份有限公司
宣传

位置:中冶有色 >

有色技术频道 >

> 加工技术

> 基于LNOI光子平台的硅光探测器及其制备方法

基于LNOI光子平台的硅光探测器及其制备方法

877   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 23:20:27
本发明公开了一种基于LNOI光子平台的硅光探测器及其制备方法,包括设于绝缘体衬底上的铌酸锂薄膜、单晶硅层和电极,所述绝缘体衬底包括支撑衬底层和光绝缘层,所述支撑衬底层设于所述光绝缘层的一侧,所述铌酸锂薄膜设于所述光绝缘层的另一侧,所述铌酸锂薄膜的另一侧设有所述单晶硅层,在所述单晶硅层上设有所述电极。相对于现有技术,本发明提出的基于LNOI光子平台的硅光探测器及其制备方法,由于硅为单晶硅,材料中的缺陷极少,大大提高了光生载流子的收集效率,所制备的器件具有高响应率,低电容,低暗电流和高灵敏度的优点,同时离子束剥离制备的单晶硅层厚度均匀性极好,器件性能稳定,具有极大应用前景。
声明:
“基于LNOI光子平台的硅光探测器及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
分享 0
         
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
标签:
加工技术
全国热门有色金属技术推荐
展开更多 +

 

中冶有色技术平台微信公众号
了解更多信息请您扫码关注官方微信
中冶有色技术平台微信公众号中冶有色技术平台

最新更新技术

报名参会
更多+

报告下载

第二届关键基础材料模拟、制备与评价技术交流会
推广

热门技术
更多+

衡水宏运压滤机有限公司
宣传
环磨科技控股(集团)有限公司
宣传

发布

在线客服

公众号

电话

顶部
咨询电话:
010-88793500-807
专利人/作者信息登记