本发明公开了一种基于LNOI光子平台的硅光探测器及其制备方法,包括设于绝缘体衬底上的铌酸锂薄膜、单晶硅层和电极,所述绝缘体衬底包括支撑衬底层和光绝缘层,所述支撑衬底层设于所述光绝缘层的一侧,所述铌酸锂薄膜设于所述光绝缘层的另一侧,所述铌酸锂薄膜的另一侧设有所述单晶硅层,在所述单晶硅层上设有所述电极。相对于现有技术,本发明提出的基于LNOI光子平台的硅光探测器及其制备方法,由于硅为单晶硅,材料中的缺陷极少,大大提高了光生载流子的收集效率,所制备的器件具有高响应率,低电容,低暗电流和高灵敏度的优点,同时离子束剥离制备的单晶硅层厚度均匀性极好,器件性能稳定,具有极大应用前景。
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