本发明公开了一种高分辨率高透光度半导体用3D打印式正性光刻胶,其通过以下方法制备:采用
稀土物质、钛源、可溶性镁盐、可溶性锂盐、甲基丙烯酸酯单体等为原料,通过高温水热反应制得钛酸镁锂改性甲基丙烯酸酯单体;然后将其参通过自由基聚合反应,合成制得以钛酸镁锂胶体粒子为“锚点”的高度支化的改性丙烯酸树脂;之后将改性丙烯酸树脂、产酸剂、助剂等充分分散均质,即制得流动性好、聚合度高、抗蚀刻性能优异的光刻胶成品。该光刻胶属于化学放大类,其在193nm深紫外光源下感光性能强,灵敏度好,分辨率达到0.09~0.11μm,光刻综合性能达到国际最先进水平,应用前景极为广阔。
声明:
“高分辨率高透光度半导体用3D打印式正性光刻胶” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)