本发明提供了一种超薄硅膜及其制备方法和用途,该超薄硅膜自下而上依次包括导电基底层、硅膜层和钝化层,由磁控溅射和原子层沉积方法制备得到。该超薄硅膜的硅膜层厚度均匀可控,钝化层厚度适宜,具有优异的
电化学性能,用于锂二次电池的电极,能够改变电极材料表面的电化学反应、加快锂离子在充放电过程中的嵌入和脱嵌过程,从而大幅度提高锂二次电池的性能。
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