本发明公开了一种富有硫空位缺陷的VS2‑x材料的制备方法,采用水热和煅烧法合成,利用水热过程中添加CTAB构造缺陷,通过调控CTAB的量调控缺陷多少,获得富有硫空位的微米花状VS2‑x材料,工艺简单、成熟,结果稳定;本发明制备的富有硫空位缺陷的VS2‑x材料作为锂离子电池
正极材料,在0.1A/g电流密度下容量为140mAh/g,表现出高容量的储锂性能,同时具有高赝电容的储锂机制。
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“富有硫空位缺陷的VS2-x材料及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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