本发明涉及
电化学及锂离子/
钠离子电池技术领域。本发明提供了一种二次电池用多元含缺陷磷硅锗铜
负极材料及制备方法,所述二次电池用多元含缺陷磷硅锗铜负极材料为CuSixGeyP3物质;所述CuSixGeyP3物质中的x和y的具体取值为0≤x≤4,0≤y≤4,2≤x+y≤4。此二次电池用多元含缺陷磷硅锗铜负极材料具有非常合适的晶体结构特性及物理化学性质,作为锂离子/钠离子电池负极使用时具有体积膨胀小、比容量高、循环稳定性好和充放电极化小等特点,解决了目前锂离子电池/钠离子电池容量低及使用寿命不足的技术问题。
声明:
“二次电池用多元含缺陷磷硅锗铜负极材料及制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)