本发明公开了一种带氮化硅层的单晶薄膜及其制备方法,从上至下包括氮化硅层、铌酸锂薄膜层、氧化硅层和硅衬底层;本发明的带氮化硅层的单晶薄膜,由于氮化硅有好的绝缘效果和宽的光学透过窗口,作为光波导传播层,与铌酸锂薄膜有更好的匹配性、高的模式限制、低的传播损耗和高功率处理能力;本发明的带氮化硅层的单晶薄膜的制备方法,氮化硅波导采用LPVCD沉积制成,并和铌酸锂调制器进行集成,可以得到集成度高、宽带宽、损耗低的波导器件;本发明的制备方法适用于工业生产,成品率高。
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