本申请公开了一种金属氧化物薄膜晶体管器件,所述金属氧化物薄膜晶体管器件包括:基板;栅极,设置在所述基板上;绝缘层,沉积在所述栅极上;有源层,覆盖于所述绝缘层上,所述有源层上设置有源极和漏极,所述有源层采用的材料为掺杂
锂元素的氧化
锌铟;封装层,沉积于所述源极和所述漏极上,以将所述源极和漏极与外部绝缘隔离。本申请还公开了一种金属氧化物薄膜晶体管器件的制作方法。本申请通过采用掺杂锂元素的
氧化锌铟制备有源层,掺杂的锂元素可以置换掉有源层中的锌,降低了有源层的载流子浓度,提高了金属氧化物TFT器件的性能。
声明:
“金属氧化物薄膜晶体管器件及其制作方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)