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磷酸镓晶体的助熔剂生长法

690   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 23:16:36
本发明提供了一种磷酸镓晶体的助熔剂生长法。该法以碳酸锂—氧化钼作助熔剂,以氧化镓及磷酸二氢铵为原料,将磷酸二氢铵、氧化镓、碳酸锂、氧化钼按1∶1.23∶1.12∶6.57的重量比称量,混合均匀后放入铂金坩埚中,在生长炉中加热熔融,再冷却至溶液饱和点温度之上10-20℃,得到磷酸镓与助熔剂的混合熔体;将籽晶引入生长炉,待籽晶开始熔化后,将温度降至饱和点以上1-2℃,同时以30转/每分钟的旋转速率旋转,24小时后开始降温,生长结束后,从溶液中提出晶体,以30℃/小时的降温速率降至200℃后,自然冷却至室温。本发明可以有效的消除晶体内水的含量,提高磷酸镓晶体的压电性能。
声明:
“磷酸镓晶体的助熔剂生长法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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