本申请提供了负极极片、
电化学装置和电子装置。负极极片包括集流体、第一活性材料层和第二活性材料层。第一活性材料层位于集流体和第二活性材料层之间。第一活性材料层包括硅基材料。第二活性材料层包括钛酸锂,钛酸锂的平均粒径为1nm至1500nm。本申请的实施例通过在第二活性材料层中包括钛酸锂,由于钛酸锂的结构稳定,在电化学装置的循环过程中几乎零应变,与电解液的副反应较少,可以抑制下面的第一活性材料层中的硅基材料颗粒与电解液的反应活性,降低电化学装置的循环膨胀。
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“负极极片、电化学装置和电子装置” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)