本发明属于锂离子电池技术领域,提供一种面向SiO2/C负极的表面修饰方法;本发明通过物理气相沉积(PVD)或者原子层淀积(ALD)的方法,在SiO2/C负极表面沉积一层锂离子导体缓冲层、位于SiO2/C负极与固体电解质之间;所述锂离子导体缓冲层采用Li1+xTi2‑xMx(P O4)3,其中,0≤x<2,M=Al、Ga、In、Sc;或者La2/3‑xLi3xTiO3;又或者LiOH。通过在SiO2/C负极与固体电解质之间增加一层锂离子导体缓冲层材料,形成人造SEI膜,抑制电极与电解液接触界面之间不良副反应发生,有效提高
负极材料的结构稳定性,降低充放电过程中Si O2/C负极体积变化带来的负面影响,从而提高电池循环性能。
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