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面向SiO2/C负极的表面修饰方法

935   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-18 23:15:14
本发明属于锂离子电池技术领域，提供一种面向SiO2/C负极的表面修饰方法；本发明通过物理气相沉积(PVD)或者原子层淀积(ALD)的方法，在SiO2/C负极表面沉积一层锂离子导体缓冲层、位于SiO2/C负极与固体电解质之间；所述锂离子导体缓冲层采用Li1+xTi2‑xMx(P O4)3，其中，0≤x<2，M＝Al、Ga、In、Sc；或者La2/3‑xLi3xTiO3；又或者LiOH。通过在SiO2/C负极与固体电解质之间增加一层锂离子导体缓冲层材料，形成人造SEI膜，抑制电极与电解液接触界面之间不良副反应发生，有效提高负极材料的结构稳定性，降低充放电过程中Si O2/C负极体积变化带来的负面影响，从而提高电池循环性能。
声明：
“面向SiO2/C负极的表面修饰方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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