合肥金星智控科技股份有限公司
宣传

位置:中冶有色 >

有色技术频道 >

> 加工技术

> Zr-Si-C陶瓷先驱体的常温常压合成方法

Zr-Si-C陶瓷先驱体的常温常压合成方法

883   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 23:14:03
本发明为一种Zr‑Si‑C陶瓷先驱体的常温常压合成方法,包括以下步骤:(1)在惰性气氛保护下,将二甲基二茂锆溶于有机溶剂中,搅拌并加入有机锂化合物、配体化合物,干燥得到活性二茂锆锂盐;(2)在惰性气体气氛保护下,用有机溶剂溶解活性二茂锆锂盐,搅拌并加入卤代硅烷单体,发生聚合反应,滴加终止剂终止反应,经过滤、浓缩、纯化、干燥,即得到Zr‑Si‑C陶瓷先驱体。本发明方法无需高温、低温、高压、通电等条件,在常温常压下即可进行反应,采用活性高的二甲基二茂锆、较便宜且较安全的正丁基锂与卤硅烷单体反应,通过两步法制备Zr‑Si‑C陶瓷先驱体,方法简便、科学合理。采用本方法合成的Zr‑Si‑C陶瓷先驱体多种多样,可用于制备种类繁多的Zr‑Si‑C陶瓷。
声明:
“Zr-Si-C陶瓷先驱体的常温常压合成方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
分享 0
         
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
标签:
加工技术
全国热门有色金属技术推荐
展开更多 +

 

中冶有色技术平台微信公众号
了解更多信息请您扫码关注官方微信
中冶有色技术平台微信公众号中冶有色技术平台

最新更新技术

报名参会
更多+

报告下载

第二届中国微细粒矿物选矿技术大会
推广

热门技术
更多+

衡水宏运压滤机有限公司
宣传
环磨科技控股(集团)有限公司
宣传

发布

在线客服

公众号

电话

顶部
咨询电话:
010-88793500-807
专利人/作者信息登记