本发明公开一种锂离子电池TiO
2纳米阵列限域氧化锑负极的制备方法及负极,该负极包括导电集流体基底、生长在基底上的由纳米孔阵列和网状微米孔组成的多孔二氧化钛,以及填充于纳米阵列管道中和微米网格孔洞中的Sb
2O
3。由于Sb
2O
3进入TiO
2基体的纳米孔阵列和微米网孔中,在充放电过程中能够为Sb
2O
3的体积膨胀提供有向容纳空间,防止Sb
2O
3脱落丧失活性;TiO
2具有一维稳定的导电通路,为复合负极的离子、电子传输提供保障,其本身也具有170mAh·g
‑1的理论比容量;纳米级的Sb
2O
3也有利于释放嵌锂应力,缩短离子、电子迁移路径。
声明:
“TiO2纳米阵列限域氧化锑负极的制备方法及负极” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)