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LiMnxOy@C三维纳米片阵列、制备方法及其应用

993   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 23:14:01
本发明公开了一种三LiMnxOy@C三维纳米片阵列、制备方法及其应用。所述的三维纳米片阵列表面富含氧空位,由碳层包覆的MnO,γ‑MnO2及LiMn2O4构成的复合物组成,以Mn(CH3COO)2为原料,Na2SO4为电解质,水作为溶剂,泡沫镍作为集流体,通过电化学沉积法制备前驱体,再将其转移到LiOH水溶液中通过水热反应嵌锂,最后将嵌锂后的前驱体浸泡在葡萄糖水溶液中,再经过Ar/H2退火得到表面富含氧空位缺陷的三维LiMnxOy@C纳米片阵列材料。该材料具有三维阵列结构,利于电解质进入与活性材料反应,富含氧空位,电化学性能得到有效提高,同时包覆的碳层可以提高电极材料的导电性和机械稳定性;制备方法简单环保,不需要复杂的后处理过程。
声明:
“LiMnxOy@C三维纳米片阵列、制备方法及其应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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