本发明公开了一种基于镁掺杂近化学计量比铌酸锂单晶薄膜和单晶氧化钽脊形波导的光调制器制作方式,所选用的基底材料是铌酸锂晶体,该晶片的复合结构自下向上包括铌酸锂衬底,二氧化硅下包层,镁掺杂近化学计量比铌酸锂单晶薄膜,单晶氧化钽脊形波导结构,二氧化硅上包层,行波电极。本发明能够大大降低了在光传输过程中的损耗,在铌酸锂薄膜层镁掺杂的浓度达到抗光折变阈值,能够对短波长如红光、绿光或蓝紫色光进行调制,采用二氧化硅作为上下包层,在实现低功耗驱动的同时降低了调制器的尺寸,提高了器件的稳定性,具有制作工艺简便,器件尺寸小,弯曲半径小,稳定性好等优点。
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