一种光子
芯片及其制备方法,芯片包括铌酸锂薄膜调制器阵列(1)、第一光耦合阵列(2)和二氧化硅波导波分复用器(3),其中:铌酸锂薄膜调制器阵列(1)由一个及以上的铌酸锂薄膜调制器组成,用于对光信号进行调制;第一光耦合阵列(2)由一个及以上的第一光耦合结构组成,第一光耦合结构的一端连接至对应的铌酸锂薄膜调制器,并且其另一端连接至二氧化硅波导波分复用器(3),以将调制后的光信号传输至二氧化硅波导波分复用器(3);二氧化硅波导波分复用器(3)用于对调制后的光信号进行波分复用。实现了片上铌酸锂薄膜调制器与片上波分复用结构的单芯片集成,并提高了器件集成度。
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