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高频高性能声表面波器件及其制备方法

849   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 23:08:12
本发明公开了一种高频高性能声表面波器件及其制备方法。所述声表面波器件包括依次叠加的碳化硅单晶衬底、压电薄膜和叉指电极;压电薄膜为钽酸锂单晶薄膜或铌酸锂单晶薄膜;碳化硅单晶衬底为4H‑SiC单晶基片、6H‑SiC单晶基片、3C‑SiC单晶基片或3C‑SiC外延单晶基片。碳化硅单晶基片具有较高的声速、优良的热稳定性和化学稳定性和高热导率;钽酸锂或铌酸锂压电单晶薄膜的晶体质量高、一致性好、传播损耗小,采用叉指电极/钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜/碳化硅单晶衬底结构形式的声表面波器件,具有较高的中心频率、高的功率耐受性、小的温度系数,在移动通讯领域有巨大的应用前景。
声明:
“高频高性能声表面波器件及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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