本发明公开了一种2H相单层二硫化钼纳米片的制备方法,具体步骤为:将硫代钼酸铵和锂盐化合物按1 : 2摩尔比混合研磨,研磨后的混合物在惰性气体保护下于200?400℃保温1?10h,冷却至室温得到插锂的2H相硫化钼块体;将插锂的2H相硫化钼块体置于去离子水中,辅助超声水解剥离5?30min,再将得到的悬浮液置于离心机中,经离心分离去除未剥离的沉淀物后得到2H相单层MoS2纳米片悬浮液;将2H相单层MoS2纳米片悬浮液在离心机上分别用水和乙醇离心洗涤去除可溶性杂质,最后将沉淀物2H相单层MoS2纳米片分散于小分子溶剂中保存,该2H相单层MoS2纳米片的厚度小于1nm。本发明工艺操作简单,反应条件温和,所用试剂价格低廉,绿色环保。
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