本发明涉及一种负极片及其制备方法、电池,该方法包括如下步骤:将含硅
负极材料形成于集流体上制得基片;将基片进行预加热,并将基片在真空条件的氛围下采用真空溅射补锂;预加热的温度高于氛围温度且低于补锂的靶材的熔点,氛围的温度为30℃~130℃;在真空溅射中,基片上第一侧表面的第一第二区域相对设置,基片上第二侧表面的第三第四区域相对设置;靶材的数量为多个,且部分靶材同时对基片的第一第二区域进行镀膜,还有部分靶材同时对基片的第三第四区域进行镀膜;多个靶材包括第一、第二靶材,第一靶材选自金属锂、氧化锂、氮化锂或碳化锂中的一种,第二靶材选自硅、碳、氧化硅、碳化硅或氮化硅中的一种;第一第二靶材在基片传输方向交替间隔设置。
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