本发明公开了一种含三种掺杂剂的氧化锌薄膜 及其制造方法,在含锂衬底上依次包括ZnO缓冲层、ZnO外 延层和P型ZnO三元共掺层,其中,三元共掺层所包含的三 种掺杂剂为:锂、氮、铝或镓。本发明的有益效果为:在含锂 衬底上采用高温扩散的办法让锂通过异质界面进入到ZnO薄 膜中制备p型ZnO薄膜,该膜含有锂、铝或镓以及氮三种掺杂 剂,可使膜的空穴浓度至少为5× 1017cm- 3,电阻率低于3cm,霍耳迁移率在0.1~ 10cm2/Vs之间,这些性能允许p 型薄膜用于光生伏特和电致发光型器件的p-n同质结。
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