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用于相变存储材料的氨基嘧啶Ge(Ⅱ)前质体及其制备方法

1021   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 23:02:45
本发明涉及一种用于相变存储材料的氨基嘧啶Ge(II)前质体,该前质体以氨基嘧啶及其衍生物为配体,依以下方法制备:(1)将氨基密啶及其衍生物溶解在反应溶剂中,-78~0℃搅拌条件下加入烷基锂溶液,氨基嘧啶或其衍生物与烷基锂摩尔比1.0∶1.0~1.2,恢复室温继续搅拌至固体产生,过滤得到锂盐;(2)将步骤(1)得到的锂盐与甲苯混合,-78~0℃条件下以锂盐与金属锗摩尔比2.0∶1.0~1.2滴加到二氯化锗的甲苯溶液中,升温至室温;(3)将步骤(2)得到的混合物过滤浓缩,滤渣用二氯甲烷提取,收集滤液,-50~0℃低温结晶,得到所述的氨基嘧啶Ge(II)前质体。本发明合成方法简单,制备的前质体热稳定性高,挥发性好,成膜性能优良,是制备相变存储材料潜在的重要前质体。
声明:
“用于相变存储材料的氨基嘧啶Ge(Ⅱ)前质体及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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