一种制备高质量非极性GaN自支撑衬底的方法, 利用铝酸锂或镓酸锂衬底制备高质量非极性GaN自支撑衬底, 铝酸锂或镓酸锂衬底的清洗和处理放入反应器中后,升温至生 长温度在800~950℃条件下,以 NH3和HCl为原料气生长,直到 生长完成。本发明的特点是:由于铝酸锂(001)或镓酸锂和 GaN(11-20)的晶格常数基本一致,没有很大的结构失配,生 长得到的GaN薄膜位错密度较低,质量较高。
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