本发明涉及一种含N脒基硅化合物,依以下方法制备:(1)将碳二亚胺或其衍生物溶解在反应溶剂中,在-78~0℃搅拌条件下加入烷/胺基锂溶液,氨基吡啶或其衍生物与烷/胺基锂的摩尔比为1:1~1.2;恢复到室温后继续搅拌反应0.5~3小时,得到反应混合物;(2)将步骤(1)得到的反应混合物过滤,得到锂盐固体,将锂盐固体溶于有机溶剂,得到锂盐溶液;(3)在-78~0℃按照锂盐与含硅反应物摩尔比1~4:1~1.1,向锂盐溶液中滴加含硅反应物或其溶液,升至一定温度反应3~10小时;(4)将步骤(3)得到的反应混合物进行过滤,滤液浓缩后结晶或减压蒸馏得到含脒配体硅化合物。本发明所述化合物可以在集成电路生产中用于制备氮化硅、含碳氮化硅等薄膜。
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