本发明公开了铜‑硅复合
负极材料的制备方法,包括配置形成含有硅源和铜源的[BMP]Tf2N离子液体或含有硅源和铜源的[BMP]TFSI离子液体,采用工作电极、参比电极和对电极为三电极,经过恒电位沉积后获得,其中,所述硅源为SiCl4和SiHCl3中的一种或两种;所述铜源为CuCl、Cu(TfO)2和Cu(TfO)中的一种或一种以上,采用铜片作为工作电极,控制工作电极的电位相对于Pt电极在‑1.8V~‑2.3V,控制沉积温度在15℃~40℃,沉积时间为3600秒~14400秒,本发明缓解硅和硅复合负极材料在充放电过程中的体积膨胀效应,提高硅和硅复合负极材料的导电性、循环性能及倍率性能。
声明:
“铜-硅复合负极材料、其制备方法和含其的锂电池” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)