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锑锂复合取代锆钛酸铅B位改性的压电陶瓷及其制备方法

935   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 22:59:01
本发明公开了一种采用(Sb3/4Li1/4)对PZT进行B位复合取代改性,制备高性能压电陶瓷的方法,步骤为:按Pb0.96Ba0.04(Sb3/4Li1/4)x(Zr0.52Ti0.48)1-xO3化学计量比配料,其中x=1~3mol%;经过800℃~900℃合成、成型、排塑、于1200℃烧结,再经烧银,并于120℃硅油浴中,加以3kV/mm的直流电压极化15min。本发明通过调整(Sb3/4Li1/4)的取代量,显著提高了压电性能。当复合取代量x=2mol%,合成温度为850℃时,获得了最佳综合压电性能,压电陶瓷的介电常数εT33/ε0,压电系数d33,机电耦合系数kp值和损耗值分别达到了,2052,500pC/N,81%,1.5%。本发明可应用于制备超声波传感器,压电陶瓷驱动器等电子器件。
声明:
“锑锂复合取代锆钛酸铅B位改性的压电陶瓷及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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