本申请涉及一种
负极材料及其制备方法、锂离子电池,所述负极材料包括碳基体内部的硅基材料,所属硅基材料包括纳米硅及分布于所述纳米硅中的掺杂元素,在所述负极材料拉曼光谱中,所述纳米硅的特征峰位置与所述掺杂元素含量满足以下关系中的任意一种:517‑2.14×B≤A≤523‑2.14×B(1)487‑0.28×(B‑14)≤A≤493‑0.28×(B‑14)(2)式中:A为所述负极材料的拉曼光谱中所述纳米硅的特征峰位置,单位为cm‑1,B%为所述掺杂元素在所述纳米硅中的质量含量百分比。本申请纳米硅的特征峰位置满足上述关系,表明掺杂元素能够均匀掺杂在纳米硅中,且纳米硅的结晶程度比较合适,使得纳米硅能够维持较高的可逆容量,且能够提高硅材料导电性,有利于提高循环稳定性。
声明:
“负极材料及其制备方法、锂离子电池” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)