本实用新型提供一种NLDMOS器件,还提供了一种锂电保护器件、
芯片及电子产品。其中实施例中NLDMOS器件包括BN区域;位于所述BN区域上方的N型阱区;位于所述N型阱区的深孔区域,所述深孔区域连接所述BN区域,且在所述深孔区域填充金属引出漏极,从而使得漏极N+区域与所述BN区域导通;本实用新型缩小了NLDMOS器件的面积。
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