本发明提供一种用于锂电保护的开关器件及其制作方法,该开关器件包括:P+型衬底及P‑型外延层;N型阱区;两个P型阱区;两个栅极结构;共用的N‑型漂移区,形成于两个栅极结构之间;N型源区及P+型接触区;介质层,所述介质层中打开有两个源区接触窗口及一体区接触窗口,所述体区接触窗口内的所述P‑型外延层被去除形成直至所述P+型衬底的沟槽;以及填充于所述源区接触窗口、体区接触窗口及所述沟槽内的电极材料。本发明采用共用漂移区的方式构建MOSFET器件,使得漂移区区域电阻可以大大降低,同时保证耐压不变。将其中一个源区电极通过与体区电极的方式引到
芯片背面,封装时可与基底焊接,省掉一个打线电阻,在极低的内阻要求下非常有效。
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