本发明公开了一种薄膜铌酸锂双平行电光调制器集成
芯片,自下而上包括衬底层、掩埋氧化层、电光调制器件层和上包层;电光调制器件层由左至右依次包括输入光波导、输入分光耦合器、两个并列的马赫增德尔电光强度调制器、电极复合输出合路耦合器和输出光波导,其中两个并列的马赫增德尔调制器包括输入分光耦合器、深刻蚀区、矩形地电极、T形地电极、矩形信号电极、T形信号电极、T形地电极、共用的矩形地电极、夹在电极间的传输光波导和输出合路耦合器。通过引入双平行电光调制结构和T型电极结构,可以更灵活地调制光信号,提升微波光波匹配效果并降低器件的功耗。
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