本发明涉及高灵敏度的近红外(750—850nm)光 折变掺杂铌酸锂晶体属于近红外用的光折变晶体领 域。单掺Fe2O3为0.05—0.3mol%;双掺 Fe2O3+CeO2为0.1—0.6mol%。在生长后经高温还 原处理,在750—850nm近红外区域内具有光折变效 应,可与750—900nm的半导体激光器配套使用。
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