本发明公开了一种低温制备的高性能锂钙钽镍锌铌镁钨改性PZT压电陶瓷材料及其制备方法,该压电陶瓷的通式为Pb1‑x‑yLixCayTau[(Ni,Zn)1/3Nb2/3]v(Mg1/2W1/2)w(Ti,Zr)1‑u‑v‑wO3表示,0.001≤x≤0.005,0.001≤y≤0.005,0≤u≤0.005,0.01≤v≤0.05,0.01≤w≤0.05。采用固相反应法制备850~950℃低温烧结的PZT改性压电
陶瓷粉体,再经过造粒、压片、排胶、烧结、烧银、极化等工艺制备陶瓷材料。结果表明,在850~950℃的烧结温度下制备得到了PZT改性陶瓷材料,其晶粒致密、晶粒均匀、结晶充分,液相烧结特征明显,压电性能大大提高。
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