本实用新型提供一种NLDMOS器件,还提供了一种锂电保护器件。其中实施例中NLDMOS器件包括P型衬底、栅极,分别位于栅极两侧的源极和漏极,位于P型衬底底部的Body区域;其中,栅极、源极和漏极从NLDMOS器件的表面引出;Body区域从NLDMOS器件的底部引出。本实用新型缩小了NLDMOS器件的面积。
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