本发明公开了一种掺铬钨酸
锂镁晶体及其制备与用途。该晶体分子式为Cr3+:Li2Mg2(WO4)3,属于正交晶系,Pnma空间群,晶胞参数为Z=4。该晶体采用顶部籽晶熔盐法生长,以75at.%Li2WO4和25at.%WO3的混合物为助熔剂,助熔剂在生长原料中所占的浓度比为55~80at.%,生长参数为:降温速率0.5~5℃/天,生长温度800~880℃,转速5~30转/分钟。该晶体具有机械性能适中、发射截面大等特点,其可调谐范围在750~1050nm之间,有望成为一种新的可调谐激光晶体,并获得实际应用。
声明:
“掺铬钨酸锂镁晶体及其制备与用途” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)